DMNH4006SPSQ-13

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DMNH4006SPSQ-13概述

N沟道 40V 110A

表面贴装型 N 通道 40 V 110A(Tc) 1.6W(Ta) PowerDI5060-8


得捷:
MOSFET N-CH 40V 110A PWRDI5060-8


立创商城:
N沟道 40V 110A


贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R


DMNH4006SPSQ-13中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3 W

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 9.3 ns

输入电容Ciss 2280pF @25VVds

下降时间 8.1 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerDI-5060-8

外形尺寸

封装 PowerDI-5060-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DMNH4006SPSQ-13
型号: DMNH4006SPSQ-13
制造商: Diodes 美台
描述:N沟道 40V 110A

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