Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin SC-59 T/R
- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW 表面贴装型 SC-59-3
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 10K
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin SC-59 T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.3 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DDTC114EKA-7-F Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DDTC114ECA-7-F 美台 | 类似代替 | DDTC114EKA-7-F和DDTC114ECA-7-F的区别 |
DDTC114EKA-7 美台 | 类似代替 | DDTC114EKA-7-F和DDTC114EKA-7的区别 |