DGTD65T15H2TF

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DGTD65T15H2TF概述

IGBT600V-XITO-220AB

IGBT 场截止 650 V 30 A 48 W 通孔 ITO-220AB


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DGTD65T15H2TF


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IGBT600V-XITO-220AB


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Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48000mW 3-Pin3+Tab ITO-220AB Tube


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Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48000mW 3-Pin3+Tab ITO-220AB Tube


DGTD65T15H2TF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 48000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 150 ns

额定功率Max 48 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 48000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买DGTD65T15H2TF
型号: DGTD65T15H2TF
制造商: Diodes 美台
描述:IGBT600V-XITO-220AB

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