DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7图片1
DMN2011UFDF-7概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 11.7 A, 20 V, 0.0065 ohm, 4.5 V, 1 V

N-Channel 20V 14.2A Ta 2.1W Ta Surface Mount U-DFN2020-6 Type F


得捷:
MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN


贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R; 3K


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 11.7 A, 0.0065 ohm, UDFN2020, 表面安装


艾睿:
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET


安富利:
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R; 3K


DMN2011UFDF-7中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.0065 Ω

耗散功率 730 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 2248 pF

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 2.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UDFN2020-6

外形尺寸

封装 UDFN2020-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买DMN2011UFDF-7
型号: DMN2011UFDF-7
制造商: Diodes 美台
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 11.7 A, 20 V, 0.0065 ohm, 4.5 V, 1 V

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