DI9952T

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DI9952T中文资料参数规格
技术参数

额定电流 3.70 A

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 2.90 A

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: DI9952T
制造商: Diodes 美台
描述:MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC

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