DMN55D0UTQ-7

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DMN55D0UTQ-7概述

N沟道 50V 160mA

表面贴装型 N 通道 50 V 160mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-523


得捷:
MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523


立创商城:
N沟道 50V 160mA


贸泽:
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 50Vdss 12Vgss 160mA


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523


DMN55D0UTQ-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 3.1 Ω

耗散功率 200 mW

阈值电压 800 mV

漏源极电压Vds 50 V

漏源击穿电压 50 V

上升时间 4.4 ns

输入电容Ciss 25pF @10VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 200mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-523-3

外形尺寸

封装 SOT-523-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMN55D0UTQ-7
型号: DMN55D0UTQ-7
制造商: Diodes 美台
描述:N沟道 50V 160mA

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