DTA114EU3T106参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTA114EU3T106概述

晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3

得捷:
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

立创商城:
DTA114EU3T106

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R

DTA114EU3T106中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

DTA114EU3T106引脚图与封装图

在线购买DTA114EU3T106

型号： DTA114EU3T106

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率