DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13图片1
DMTH43M8LPSQ-13概述

MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

N-Channel 40V 22A Ta, 100A Tc 2.7W Ta Surface Mount PowerDI5060-8


得捷:
MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R


DMTH43M8LPSQ-13中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.7W Ta

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 5.7 ns

输入电容Ciss 3.367nF @20VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.7W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerDI-5060-8

外形尺寸

封装 PowerDI-5060-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买DMTH43M8LPSQ-13
型号: DMTH43M8LPSQ-13
制造商: Diodes 美台
描述:MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

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