DTC113ZU3T106参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTC113ZU3T106概述

NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3

欧时:
NPN SOT-323 Digital Transistor

得捷:
DTC113ZU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R

DTC113ZU3T106中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 33 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买DTC113ZU3T106

型号： DTC113ZU3T106

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323