DTA114TU3HZGT106参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTA114TU3HZGT106概述

晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3

得捷:
DTA114TU3HZG IS AN DIGITAL TRANS

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm

DTA114TU3HZGT106中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

DTA114TU3HZGT106引脚图与封装图

在线购买DTA114TU3HZGT106

型号： DTA114TU3HZGT106

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm