DTC115EU3T106

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DTC115EU3T106概述

NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3


得捷:
DTC115EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R


Win Source:
DTC115EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3


DTC115EU3T106中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买DTC115EU3T106
型号: DTC115EU3T106
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323

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