DTA143EU3T106参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTA143EU3T106概述

PNP -50 VCEO -0.1A SOT-323

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3

立创商城:
DTA143EU3T106

欧时:
PNP -100mA -50V Digital Transistor Bias

得捷:
DTA143EU3 IS AN DIGITAL TRANSIST

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R

DTA143EU3T106中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： DTA143EU3T106

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：PNP -50 VCEO -0.1A SOT-323