DTC143EU3HZGT106

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DTC143EU3HZGT106概述

晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率

晶体管 - 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW 表面贴装型 UMT3


立创商城:
DTC143EU3HZGT106


欧时:
NPN SOT-323 Digital Transistor


得捷:
DTC143EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率


Win Source:
DTC143EU3HZG IS A DIGITAL TRANSI / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3


DTC143EU3HZGT106中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

DTC143EU3HZGT106引脚图与封装图
DTC143EU3HZGT106引脚图
DTC143EU3HZGT106封装图
DTC143EU3HZGT106封装焊盘图
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型号: DTC143EU3HZGT106
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率

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