DRV5015A2QDBZR

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DRV5015A2QDBZR概述

高灵敏度 ±2mT、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 3-SOT-23 -40 to 125

数字开关 卡销 数字 霍尔效应 SOT-23-3


得捷:
MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3


立创商城:
数字锁存霍尔效应传感器


德州仪器TI:
High sensitivity ±2-mT, low voltage up to 5.5-V Hall effect latch


艾睿:
Hall Effect Sensor 30mA Latch 3.3V/5V 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Hall Effect Sensor 30mA Latch 3.3V/5V 3-Pin SOT-23 T/R


DRV5015A2QDBZR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 30 mA

输出电流Max 30 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 5.5V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买DRV5015A2QDBZR
型号: DRV5015A2QDBZR
制造商: TI 德州仪器
描述:高灵敏度 ±2mT、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 3-SOT-23 -40 to 125

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