ESD 保护阵列### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
低电容 ESD 保护阵列
### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
欧时:
TVS 二极管 ON Semiconductor ESD9X12ST5G 单向, 140W, 23.7V, 2针 SOD-923封装
得捷:
TVS DIODE 12VWM 23.7VC SOD923
立创商城:
ESD9X12ST5G
贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes SOD-923 ESD PROT
e络盟:
静电保护装置, 23.7 V, SOD-923, 2 引脚, 12 V, 150 mW
艾睿:
Don&s;t let electrostatic discharges go unnoticed with this tvs ESD9X12ST5G ESD protection device from ON Semiconductor. This ESD diode has a maximum ESD protection device voltage of ±30@Air Gap/±30@Contact Disc/16@HBM/0.4@MM kV. This device&s;s maximum clamping voltage is 23.7 V. This ESD diode has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. Its capacitance value is 30Typ pF. It is made in a single configuration.
Allied Electronics:
ESD9X12ST5G, Uni-Directional TVS Diode, 150mW, 2-Pin SOD-923
安富利:
ESD Suppressor TVS ±30KV 2-Pin SOD-923 T/R
Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS ±30kV Automotive 2-Pin SOD-923 T/R
Verical:
ESD Suppressor Diode TVS Uni-Dir 12V 2-Pin SOD-923 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR ESD9X12ST5G ESD Protection Device, TVS, 23.7 V, SOD-923, 2 Pins, 12 V, 150 mW
力源芯城:
一线单向
Win Source:
TVS DIODE 12VWM 23.7VC SOD923
工作电压 12 V
电容 30 pF
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 13.5 V
电路数 1
针脚数 2
耗散功率 150 mW
钳位电压 23.7 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 140 W
最小反向击穿电压 13.5 V
击穿电压 13.5 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-923-2
长度 0.85 mm
宽度 0.85 mm
高度 0.43 mm
封装 SOD-923-2
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Portable Devices, 工业, Audio, 汽车级, 通用, Consumer Electronics, 消费电子产品, 便携式器材, 音频
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
ESD9X12ST5G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
ESD9X3.3ST5G 安森美 | 类似代替 | ESD9X12ST5G和ESD9X3.3ST5G的区别 |
ESD9X5.0ST5G 安森美 | 类似代替 | ESD9X12ST5G和ESD9X5.0ST5G的区别 |
ESD9C5.0ST5G 安森美 | 类似代替 | ESD9X12ST5G和ESD9C5.0ST5G的区别 |