Transil™ 阵列单向,提供 ESD 保护,ESDA 系列,STMicroelectronics### 瞬态电压抑制器,STMicroelectronics
极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 3V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 6.1V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 25W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 额定耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| Quad array for data protection;Features • 4 unidirectional TRANSIL™ functions. • ESD Protection: IEC61000-4-2 level 4 • Breakdown voltage VBR = 6.1V min • Low leakage current < 1µA @ 3 Volts • Low capacitance device 描述与应用| 四阵列的数据保护;特性 • 4通道单向TRANSIL™功能。 • ESD保护:IEC61000-4-2第4级 • 击穿电压VBR=6.1V6.1V最小 • 低泄漏电流<1μA@3伏特 • 低电容装置
额定电压DC 6.10 V
工作电压 6.1 V
电容 7.5 pF
额定功率 25.0 W
击穿电压 7.20 V
电路数 4
针脚数 5
耗散功率 25 W
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 25 W
最小反向击穿电压 6.1 V
击穿电压 6.1 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-323-5
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-5
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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ESDALC6V1W5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
MMSZ5257BT1G 意法半导体 | 完全替代 | ESDALC6V1W5和MMSZ5257BT1G的区别 |
MSQA6V1W5T2G 安森美 | 功能相似 | ESDALC6V1W5和MSQA6V1W5T2G的区别 |
SP1001-04XTG 力特 | 功能相似 | ESDALC6V1W5和SP1001-04XTG的区别 |