ON SEMICONDUCTOR ESD5Z3.3T1G TVS二极管, TVS, ESD5Z系列, 单向, 3.3 V, 14.1 V, SOD-523, 2 引脚
极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 3.3V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 5.0V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 158W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 11.2A 额定耗散功率PdPower dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Transient Voltage Suppressors Micro−Packaged Diodes for ESD Protection;Specification Features • Small Body Outline Dimensions:0.047″ x 0.032″1.20 mm x 0.80 mm • Low Body Height: 0.028″ 0.7 mm • Stand−off Voltage: 2.5 V − 12 V • Peak Power up to 240 Watts @ 8 x 20 s Pulse • Low Leakage • Response Time is Typically < 1 ns • ESD Rating of Class 3 > 16 kV per Human Body Model • IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection • IEC61000−4−4 Level 4 EFT Protection • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 瞬态电压 抑制器 微型封装的ESD保护;规格特性 •小体外形尺寸:0.047“×0.032”(1.20毫米x0.80毫米) •低身高:0.028“(0.7毫米) •反向关断电压:2.5 V - 12 V •峰值功率高达240瓦@8×20?s脉冲 •低漏 •响应时间通常小于1 ns •每人体模型ESD额定值的3类(16千伏) •IEC61000-4-24级ESD保护 •IEC61000-4-4等级4 EFT保护 •无铅包可用
工作电压 3.3 V
电容 105 pF
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 5 V
电路数 1
针脚数 2
耗散功率 500 mW
钳位电压 14.1 V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 5 V
脉冲峰值功率 158 W
最小反向击穿电压 5 V
击穿电压 5 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-523-2
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.6 mm
封装 SOD-523-2
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 电源管理, TVS protection for charger line and battery contacts in handheld products, 通用, Consumer Electronics, 便携式器材, General ESD protection for handheld , Consumer Electronics, Portable Devices, , Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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ESD5Z3.3T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
PESD5V0S1UB,115 恩智浦 | 功能相似 | ESD5Z3.3T1G和PESD5V0S1UB,115的区别 |
SP1003-01DTG 力特 | 功能相似 | ESD5Z3.3T1G和SP1003-01DTG的区别 |
UCLAMP3301H.TCT Semtech Corporation | 功能相似 | ESD5Z3.3T1G和UCLAMP3301H.TCT的区别 |