ON SEMICONDUCTOR ESD5Z12T1G 静电保护装置, TVS, 25 V, SOD-523, 2 引脚, 12 V, 240 W
极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 12V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 14.1V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 240W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 9.6A 额定耗散功率PdPower dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Transient Voltage Suppressors Micro−Packaged Diodes for ESD Protection;Specification Features • Small Body Outline Dimensions:0.047″ x 0.032″1.20 mm x 0.80 mm • Low Body Height: 0.028″ 0.7 mm • Stand−off Voltage: 2.5 V − 12 V • Peak Power up to 240 Watts @ 8 x 20 s Pulse • Low Leakage • Response Time is Typically < 1 ns • ESD Rating of Class 3 > 16 kV per Human Body Model • IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection • IEC61000−4−4 Level 4 EFT Protection • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 瞬态电压 抑制器 微型封装的ESD保护;规格特性 •小体外形尺寸:0.047“×0.032”(1.20毫米x0.80毫米) •低身高:0.028“(0.7毫米) •反向关断电压:2.5 V - 12 V •峰值功率高达240瓦@8×20?s脉冲 •低漏 •响应时间通常小于1 ns •每人体模型ESD额定值的3类(16千伏) •IEC61000-4-24级ESD保护 •IEC61000-4-4等级4 EFT保护 •无铅包可用
工作电压 12 V
电容 55 pF
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 14.1 V
电路数 1
针脚数 2
耗散功率 240 W
钳位电压 25 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 240 W
最小反向击穿电压 14.1 V
击穿电压 14.1 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-523-2
长度 1.3 mm
宽度 0.9 mm
高度 0.7 mm
封装 SOD-523-2
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, General ESD protection for handheld devices, Industrial, 电源管理, 便携式器材, Consumer Electronics, Power Management, TVS protection for charger line and battery contacts in handheld products, 汽车级, 消费电子产品, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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ESD5Z12T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
SZESD5Z12T1G 安森美 | 类似代替 | ESD5Z12T1G和SZESD5Z12T1G的区别 |
UCLAMP3301H.TCT Semtech Corporation | 功能相似 | ESD5Z12T1G和UCLAMP3301H.TCT的区别 |
PESD3V3S1UB,115 恩智浦 | 功能相似 | ESD5Z12T1G和PESD3V3S1UB,115的区别 |