ON SEMICONDUCTOR ESD5Z5.0T1G TVS二极管, TVS, ESD5Z系列, 单向, 5 V, 11.6 V, SOD-523, 2 引脚
极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 5.0V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 6.2V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 174W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 9.4A 额定耗散功率PdPower dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| Transient Voltage Suppressors Micro−Packaged Diodes for ESD Protection;Specification Features • Small Body Outline Dimensions:0.047″ x 0.032″1.20 mm x 0.80 mm • Low Body Height: 0.028″ 0.7 mm • Stand−off Voltage: 2.5 V − 12 V • Peak Power up to 240 Watts @ 8 x 20 s Pulse • Low Leakage • Response Time is Typically < 1 ns • ESD Rating of Class 3 > 16 kV per Human Body Model • IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection • IEC61000−4−4 Level 4 EFT Protection • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 瞬态电压 抑制器 微型封装的ESD保护;规格特性 •小体外形尺寸:0.047“×0.032”(1.20毫米x0.80毫米) •低身高:0.028“(0.7毫米) •反向关断电压:2.5 V - 12 V •峰值功率高达240瓦@8×20?s脉冲 •低漏 •响应时间通常小于1 ns •每人体模型ESD额定值的3类(16千伏) •IEC61000-4-24级ESD保护 •IEC61000-4-4等级4 EFT保护 •无铅包可用
工作电压 5.00 V
电容 80 pF
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 6.2 V
电路数 1
针脚数 2
耗散功率 500 mW
钳位电压 11.6 V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 6.2 V
脉冲峰值功率 174 W
最小反向击穿电压 6.2 V
击穿电压 6.2 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-523-2
长度 1.3 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.6 mm
封装 SOD-523-2
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, General ESD protection for handheld devices, 安全, Industrial, 通用, Safety, Portable Devices, 便携式器材, 电源管理, Power Management, TVS protection for charger line and battery contacts in handheld products, 汽车级, 消费电子产品, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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ESD5Z5.0T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
ESD5Z5.0T1 安森美 | 类似代替 | ESD5Z5.0T1G和ESD5Z5.0T1的区别 |
SZESD5Z5.0T1G 安森美 | 类似代替 | ESD5Z5.0T1G和SZESD5Z5.0T1G的区别 |
PESD5V0S1UB,115 恩智浦 | 功能相似 | ESD5Z5.0T1G和PESD5V0S1UB,115的区别 |