EC3H02BA-TL-H参数规格_中文资料_数据手册PDF

EC3H02BA-TL-H概述

Trans GP BJT NPN 10V 0.07A 3Pin ECSP T/R

RF Transistor NPN 10V 70mA 100mW Surface Mount 3-ECSP1006

得捷:
RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006

贸泽:
ON Semiconductor UHF TO X BAND AMPLIFIER

艾睿:
Trans GP BJT NPN 10V 0.07A 3-Pin ECSP T/R

Verical:
Trans GP BJT NPN 10V 0.07A 3-Pin ECSP T/R

EC3H02BA-TL-H中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.1 W

击穿电压集电极-发射极 10 V

增益 8.5 dB

最小电流放大倍数hFE 120 @20mA, 5V

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 ECSP-1006-3

外形尺寸

封装 ECSP-1006-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买EC3H02BA-TL-H

型号： EC3H02BA-TL-H

描述：Trans GP BJT NPN 10V 0.07A 3Pin ECSP T/R