EC4H09C-TL-H概述
射频RF双极晶体管 SWITCHING DEVICE
RF Transistor NPN 3.5V 40mA 26GHz 120mW Surface Mount 4-ECSP1008
得捷:
RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008
贸泽:
射频RF双极晶体管 SWITCHING DEVICE
EC4H09C-TL-H中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 120 mW
击穿电压集电极-发射极 3.5 V
增益 15 dB
最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 150
额定功率Max 120 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 120 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 UFDFN-4
外形尺寸
长度 1 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.6 mm
封装 UFDFN-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买EC4H09C-TL-H