NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
通用 NPN ，最大 1A，On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
频率 180 MHz
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 357 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-563
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
EMX1DXV6T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
EMX1DXV6T1 安森美 | 完全替代 | EMX1DXV6T1G和EMX1DXV6T1的区别 |
EMX1DXV6T5G 安森美 | 类似代替 | EMX1DXV6T1G和EMX1DXV6T5G的区别 |
EMX2DXV6T5G 安森美 | 类似代替 | EMX1DXV6T1G和EMX2DXV6T5G的区别 |