EMX1DXV6T5G参数规格_中文资料_数据手册PDF

EMX1DXV6T5G概述

双NPN通用晶体管放大器 Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor

- 双极 BJT - 阵列 2 NPN（双） 50V 100mA 180MHz 500mW 表面贴装型 SOT-563

得捷:
TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563

立创商城:
EMX1DXV6T5G

艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R

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Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 6-Pin SOT-563 T/R

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Trans GP BJT NPN 50V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R

Win Source:
TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563

EMX1DXV6T5G中文资料参数规格

技术参数

频率 180 MHz

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 357 mW

增益频宽积 180 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.55 mm

封装 SOT-563-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买EMX1DXV6T5G

型号： EMX1DXV6T5G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：双NPN通用晶体管放大器 Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor

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替代型号EMX1DXV6T5G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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