EMT1DXV6T1G

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EMT1DXV6T1G概述

NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

通用 NPN ,最大 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563


立创商城:
EMT1DXV6T1G


欧时:
### 通用 NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V Dual PNP


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 6-Pin SOT-563 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R


Win Source:
TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563


EMT1DXV6T1G中文资料参数规格
技术参数

频率 140 MHz

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 0.5 W

增益频宽积 140 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 357 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-563-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买EMT1DXV6T1G
型号: EMT1DXV6T1G
描述:NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
替代型号EMT1DXV6T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

EMT1DXV6T1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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EMT1DXV6T1

安森美

完全替代

EMT1DXV6T1G和EMT1DXV6T1的区别

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安森美

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