NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
通用 NPN ,最大 1A,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
立创商城:
EMT1DXV6T1G
欧时:
### 通用 NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V Dual PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 6-Pin SOT-563 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Win Source:
TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
频率 140 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.5 W
增益频宽积 140 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 357 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563-6
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-563-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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EMT1DXV6T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
EMT1DXV6T1 安森美 | 完全替代 | EMT1DXV6T1G和EMT1DXV6T1的区别 |
EMT1DXV6T5G 安森美 | 类似代替 | EMT1DXV6T1G和EMT1DXV6T5G的区别 |
EMT2DXV6T5 安森美 | 类似代替 | EMT1DXV6T1G和EMT2DXV6T5的区别 |