EMC4DXV5T1G

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EMC4DXV5T1G概述

双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA - 500mW 表面贴装型 SOT-553


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EMC4DXV5T1G


得捷:
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553


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Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V Dual Common Base Collector NPN & PNP


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Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 5-Pin SOT-553 T/R


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Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 5-Pin SOT-553 T/R


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TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553 / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-553


EMC4DXV5T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

通道数 2

极性 NPN+PNP

耗散功率 357 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-553-5

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-553-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买EMC4DXV5T1G
型号: EMC4DXV5T1G
描述:双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

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