24V,10A,11.6mΩ,双共漏极N通道功率MOSFET
Amplify electronic signals and switch between them with the help of "s power MOSFET. Its maximum power dissipation is 1600 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
针脚数 8
漏源极电阻 0.0093 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 1.5 W
阈值电压 1.3 V
漏源极电压Vds 24 V
上升时间 230 ns
额定功率Max 1.5 W
下降时间 23.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1600 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOT-28
长度 2.96 mm
封装 SOT-28
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ECH8697R-TL-W ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
ECH8601M-TL-H-P 安森美 | 类似代替 | ECH8697R-TL-W和ECH8601M-TL-H-P的区别 |
ECH8651R-TL-H 安森美 | 功能相似 | ECH8697R-TL-W和ECH8651R-TL-H的区别 |
ECH8655R-R-TL-H 安森美 | 功能相似 | ECH8697R-TL-W和ECH8655R-R-TL-H的区别 |