ESH1B-E3/5AT参数规格_中文资料_数据手册PDF

ESH1B-E3/5AT概述

Diode Switching 100V 1A 2Pin SMA T/R

Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC SMA

得捷:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

贸泽:
Rectifiers 100 Volt 1.0A 25ns Glass Passivated

艾睿:
Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R

安富利:
Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R

ESH1B-E3/5AT中文资料参数规格

技术参数

正向电压 900mV @1A

反向恢复时间 25 ns

正向电流 1 A

正向电压Max 900mV @1A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AC

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.79 mm

高度 2.09 mm

封装 DO-214AC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ESH1B-E3/5AT

型号： ESH1B-E3/5AT

描述：Diode Switching 100V 1A 2Pin SMA T/R

替代型号ESH1B-E3/5AT

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
ESH1B-E3/5AT Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号

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ESH1B-E3/5AT

Vishay Semiconductor 威世

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