EFC4618R-P-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

EFC4618R-P-TR概述

Power MOSFET, 24V, 6A, 23mΩ, Dual N-Channel

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 - - 1.6W 表面贴装型 EFCP1818-4CC-037

得捷:
MOSFET 2N-CH EFCP1818

贸泽:
MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 4-Pin WLCSP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 4-Pin WLCSP T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 4-Pin WLCSP T/R

EFC4618R-P-TR中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.6 W

上升时间 815 ns

额定功率Max 1.6 W

下降时间 1770 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 EFCP1313-4CC-037

外形尺寸

封装 EFCP1313-4CC-037

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买EFC4618R-P-TR

型号： EFC4618R-P-TR

描述：Power MOSFET, 24V, 6A, 23mΩ, Dual N-Channel

替代型号EFC4618R-P-TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
EFC4618R-P-TR ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号

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EFC4618R-P-TR

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