EFC6605R-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

EFC6605R-TR概述

双N沟道半桥

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） - - 1.6W 表面贴装型 6-EFCP（1.9x1.46）

得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

立创商城:
EFC6605R-TR

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 6-Pin XFLGA T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 6-Pin XFLGA T/R

EFC6605R-TR中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.6 W

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 678 ns

额定功率Max 1.6 W

下降时间 60800 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 XFBGA-6

外形尺寸

封装 XFBGA-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买EFC6605R-TR

型号： EFC6605R-TR

描述：双N沟道半桥