ECH8668-TL-H

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ECH8668-TL-H概述

N/P 通道 MOSFET,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

双 N/P 通道 MOSFET,


立创商城:
ECH8668-TL-H


得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A ECH8


欧时:
ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET ECH8668-TL-H, 5 A,7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 ECH封装


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm, SOT-28FL, 表面安装


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The ECH8668-TL-H power MOSFET from ON Semiconductor provides the solution. Its maximum power dissipation is 1500 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
ECH8668-TL-H Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 5 A, 7.5 A, 20 V, 8-Pin ECH


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A 8-Pin ECH T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A 8-Pin ECH T/R


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 7.5A/5A 8-Pin ECH T/R


力源芯城:
7.5A,20V,N/P沟道MOSFET


ECH8668-TL-H中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 8

漏源极电阻 0.013 Ω

极性 N+P

耗散功率 1.5 W

阈值电压 1.3 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 7.5A/5A

输入电容Ciss 1060pF @10VVds

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SMD-8

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 2.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SMD-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ECH8668-TL-H
型号: ECH8668-TL-H
描述:N/P 通道 MOSFET,ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
替代型号ECH8668-TL-H
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