ECH8651R-TL-H

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ECH8651R-TL-H概述

10A,24V,双N沟道MOSFET

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 24V 10A 1.5W 表面贴装型 8-ECH


得捷:
MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8


贸泽:
MOSFET NCH+NCH 4V DRIVE SERIES


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 24 V, 10 A, 0.0105 ohm, SOT-28FL, 表面安装


艾睿:
Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? ON Semiconductor&s;s ECH8651R-TL-H power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 1500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MOSFET Dual N-Ch 24V 10A 14mOhm ECH8


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 24V 10A 8-Pin ECH T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 24V 10A 8-Pin ECH T/R


力源芯城:
10A,24V,双N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8


DeviceMart:
MOSFET N-CH DUAL 24V 10A ECH8


ECH8651R-TL-H中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 8

漏源极电阻 0.0105 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1.4 W

阈值电压 1.3 V

漏源极电压Vds 24 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 1000 ns

额定功率Max 1.5 W

下降时间 2500 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ECH8651R-TL-H
型号: ECH8651R-TL-H
描述:10A,24V,双N沟道MOSFET
替代型号ECH8651R-TL-H
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