7A,30V,双N沟道MOSFET
Features
• 4V drive
• Composite type, facilitating high-density mounting
• Halogen free compliance
• Protection diode in
得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin ECH T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin ECH T/R
力源芯城:
7A,30V,双N沟道MOSFET
无卤素状态 Halogen Free
极性 N-Channel
耗散功率 1.30 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 710pF @10VVds
额定功率Max 1.5 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SMD-8
封装 SMD-8
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ECH8659-TL-H ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
ECH8659-TL-HX 安森美 | 完全替代 | ECH8659-TL-H和ECH8659-TL-HX的区别 |
ECH8664R-TL-H 安森美 | 类似代替 | ECH8659-TL-H和ECH8664R-TL-H的区别 |