EFC6602R-A-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

EFC6602R-A-TR概述

Trans MOSFET N-CH 6Pin EFCP T/R

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 - - 2W 表面贴装型 EFCP2718-6CE-020

得捷:
MOSFET 2N-CH EFCP

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 6-Pin EFCP T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 18A T/R

Win Source:
MOSFET 2N-CH EFCP

EFC6602R-A-TR中文资料参数规格

技术参数

无卤素状态 Halogen Free

耗散功率 2 W

上升时间 2100 ns

额定功率Max 2 W

下降时间 5500 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 XFBGA-6

外形尺寸

封装 XFBGA-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买EFC6602R-A-TR

型号： EFC6602R-A-TR

描述：Trans MOSFET N-CH 6Pin EFCP T/R