ESD 保护,ESD 系列设计用于保护 ESD(静电放电)电压敏感组件。 极佳的夹持能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露在 ESD 环境中的设计提供同类最佳保护。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
瞬态电压抑制器,用于 ESD 保护,ESD 系列
设计用于保护 ESD(静电放电)电压敏感组件。 极佳的夹持能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露在 ESD 环境中的设计提供同类最佳保护。
欧时:
### 瞬态电压抑制器二极管,用于 ESD 保护,ESD 系列设计用于保护 ESD(静电放电)电压敏感组件。 极佳的夹持能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露在 ESD 环境中的设计提供同类最佳保护。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
得捷:
TVS DIODE 5VWM 12.4VC 2X3DFN
立创商城:
ESD5481MUT5G
贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 ESD PROTECTION DIODE
e络盟:
静电保护装置, 15 V, X3DFN, 2 引脚, 5 V, 300 mW
艾睿:
Protect your electronic components and circuit from dangerous electrostatic discharge with this tvs ESD5481MUT5G ESD protection device from ON Semiconductor. This ESD diode has a maximum ESD protection device voltage of ±20@Air Gap/±20@Contact Disc kV. This device&s;s maximum clamping voltage is 12.5 V. This ESD diode has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. Its capacitance value is 15 pF. It is made in a single configuration.
安富利:
ESD Suppressor TVS ±20KV 2-Pin XDFN T/R
Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS ±20KV 2-Pin XDFN T/R
Verical:
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 5V 2-Pin X3-DFN T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR ESD5481MUT5G ESD Protection Device, 12.5 V, X3DFN, 2 Pins, 5 V, 300 mW
力源芯城:
1线双向ESD保护
Win Source:
TVS DIODE 5VWM 12.4VC X3DFN-2
工作电压 5 V
电容 15 pF
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 5.7 V
电路数 1
针脚数 2
耗散功率 300 mW
钳位电压 12.5 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 0.3 W
最小反向击穿电压 5.7 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DFN-2
长度 0.62 mm
宽度 0.32 mm
高度 0.28 mm
封装 DFN-2
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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ESD5481MUT5G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
PESD5V0L1BSF 恩智浦 | 功能相似 | ESD5481MUT5G和PESD5V0L1BSF的区别 |