ESD5381MUT5G

ESD5381MUT5G图片1
ESD5381MUT5G图片2
ESD5381MUT5G图片3
ESD5381MUT5G图片4
ESD5381MUT5G图片5
ESD5381MUT5G图片6
ESD5381MUT5G图片7
ESD5381MUT5G概述

ON SEMICONDUCTOR  ESD5381MUT5G  静电保护装置, 10.5 V, X3DFN2, 2 引脚, 3 V, 300 mW

瞬态电压抑制器,用于 ESD 保护,ESD 系列

设计用于保护 ESD(静电放电)电压敏感组件。 极佳的夹持能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露在 ESD 环境中的设计提供同类最佳保护。

### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


立创商城:
单向 Vrwm:3V@Max


得捷:
TVS DIODE 3VWM 10.5VC 2X3DFN


欧时:
TVS 二极管 ON Semiconductor ESD5381MUT5G 单向, 0.3W, 10.5V, 2针 DFN封装


贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes ESD PROTECTION DIODE


e络盟:
静电保护装置, 10.5 V, X3DFN2, 2 引脚, 3 V, 300 mW, ESD53 Series


艾睿:
ESD Suppressor TVS 3V 2-Pin DFN T/R


安富利:
ESD Suppressor TVS 8KV 2-Pin DFN T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  ESD5381MUT5G  ESD Protection Device, 10.5 V, X3DFN, 2 Pins, 3 V, 300 mW


力源芯城:
ESD保护二极管


ESD5381MUT5G中文资料参数规格
技术参数

工作电压 3 V

电容 13 pF

击穿电压 6.1 V

针脚数 2

耗散功率 300 mW

钳位电压 10.5 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 0.3 W

最小反向击穿电压 6.1 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DFN-2

外形尺寸

长度 0.66 mm

宽度 0.36 mm

高度 0.28 mm

封装 DFN-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级, 通用, ESD Protection

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买ESD5381MUT5G
型号: ESD5381MUT5G
描述:ON SEMICONDUCTOR  ESD5381MUT5G  静电保护装置, 10.5 V, X3DFN2, 2 引脚, 3 V, 300 mW
替代型号ESD5381MUT5G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ESD5381MUT5G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

ESD7381MUT5G

安森美

类似代替

ESD5381MUT5G和ESD7381MUT5G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台