ON SEMICONDUCTOR ESD5381MUT5G 静电保护装置, 10.5 V, X3DFN2, 2 引脚, 3 V, 300 mW
瞬态电压抑制器,用于 ESD 保护,ESD 系列
设计用于保护 ESD(静电放电)电压敏感组件。 极佳的夹持能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露在 ESD 环境中的设计提供同类最佳保护。
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立创商城:
单向 Vrwm:3V@Max
得捷:
TVS DIODE 3VWM 10.5VC 2X3DFN
欧时:
TVS 二极管 ON Semiconductor ESD5381MUT5G 单向, 0.3W, 10.5V, 2针 DFN封装
贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes ESD PROTECTION DIODE
e络盟:
静电保护装置, 10.5 V, X3DFN2, 2 引脚, 3 V, 300 mW, ESD53 Series
艾睿:
ESD Suppressor TVS 3V 2-Pin DFN T/R
安富利:
ESD Suppressor TVS 8KV 2-Pin DFN T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR ESD5381MUT5G ESD Protection Device, 10.5 V, X3DFN, 2 Pins, 3 V, 300 mW
力源芯城:
ESD保护二极管
工作电压 3 V
电容 13 pF
击穿电压 6.1 V
针脚数 2
耗散功率 300 mW
钳位电压 10.5 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 0.3 W
最小反向击穿电压 6.1 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DFN-2
长度 0.66 mm
宽度 0.36 mm
高度 0.28 mm
封装 DFN-2
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级, 通用, ESD Protection
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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ESD5381MUT5G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
ESD7381MUT5G 安森美 | 类似代替 | ESD5381MUT5G和ESD7381MUT5G的区别 |