ESD8472MUT5G

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ESD8472MUT5G概述

ON SEMICONDUCTOR  ESD8472MUT5G  ESD Protection Device, 20 V, X3DFN2, 2 Pins, 5.3 V, 300 mW 新

低电容 ESD 保护阵列

### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


得捷:
TVS DIODE 5.3VWM 14VC 2X3DFN


立创商城:
ESD8472MUT5G


欧时:
TVS 二极管 ON Semiconductor ESD8472MUT5G 双向, 0.3W, 20V, 2针 DFN封装


艾睿:
Save yourself hassle and protect your electronic components by installing this tvs ESD8472MUT5G ESD protection device from ON Semiconductor. This ESD diode has a maximum ESD protection device voltage of ±20@Air Gap/±20@Contact Disc kV. This device&s;s maximum clamping voltage is 20 V. This ESD diode has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It is made in a single configuration.


安富利:
ESD Suppressor TVS 20KV 2-Pin X3DFN T/R


Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS 20kV Automotive 2-Pin X3-DFN T/R


Verical:
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 5.3V 2-Pin X3-DFN T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  ESD8472MUT5G  ESD Protection Device, 14 V, X3DFN, 2 Pins, 5.3 V, 300 mW


力源芯城:
极低电容双向的RFESD保护


Win Source:
TVS DIODE 5.3VWM 14VC X3DFN2


ESD8472MUT5G中文资料参数规格
技术参数

工作电压 5.3 V

电容 0.3 pF

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 2

耗散功率 300 mW

钳位电压 20 V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 12 V

脉冲峰值功率 0.3 W

最小反向击穿电压 7 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DFN-2

外形尺寸

长度 0.66 mm

宽度 0.36 mm

高度 0.28 mm

封装 DFN-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 RF 天线, 汽车级,RF 天线

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

ESD8472MUT5G引脚图与封装图
ESD8472MUT5G引脚图
ESD8472MUT5G封装图
ESD8472MUT5G封装焊盘图
在线购买ESD8472MUT5G
型号: ESD8472MUT5G
描述:ON SEMICONDUCTOR  ESD8472MUT5G  ESD Protection Device, 20 V, X3DFN2, 2 Pins, 5.3 V, 300 mW 新
替代型号ESD8472MUT5G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ESD8472MUT5G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

ESD0P2RF-02LS E6327

英飞凌

功能相似

ESD8472MUT5G和ESD0P2RF-02LS E6327的区别

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