EL816B

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EL816B概述

4-DIP 单向光耦 Viso=5000Vrms VFtyp=1.2V IF=60mA Vo=80V

Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP


立创商城:
光耦


得捷:
OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 4-DIP


艾睿:
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP Tube


EL816B中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 4µs, 3µs

通道数 1

正向电压 1.2 V

耗散功率 200 mW

上升时间 4 µs

隔离电压 5000 Vrms

正向电流 60 mA

输出电压Max 80 V

正向电压Max 1.4 V

正向电流Max 60 mA

下降时间 3 µs

下降时间Max 18 µs

上升时间Max 18 µs

工作温度Max 110 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 DIP-4

外形尺寸

封装 DIP-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 110℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买EL816B
型号: EL816B
制造商: Everlight Electronics 亿光
描述:4-DIP 单向光耦 Viso=5000Vrms VFtyp=1.2V IF=60mA Vo=80V

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