E-ULN2001A

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E-ULN2001A概述

达林顿晶体管 Seven NPN Array

Bipolar BJT Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-DIP


得捷:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP


贸泽:
达林顿晶体管 Seven NPN Array


艾睿:
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin PDIP Tube


E-ULN2001A中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 1000 @350mA, 2V

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 16

封装 DIP-16

外形尺寸

长度 20 mm

宽度 7.1 mm

高度 4.59 mm

封装 DIP-16

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买E-ULN2001A
型号: E-ULN2001A
描述:达林顿晶体管 Seven NPN Array
替代型号E-ULN2001A
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E-ULN2001A

ST Microelectronics 意法半导体

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E-ULN2001A和ULN2001A的区别

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