ECH8619-TL-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

ECH8619-TL-E概述

ECH N+P 60V 3A/2A

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 60V 3A，2A 1.5W 表面贴装型 8-ECH

得捷:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8ECH

艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin ECH T/R

Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin ECH T/R

Win Source:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8

ECH8619-TL-E中文资料参数规格

技术参数

极性 N+P

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 3A/2A

输入电容Ciss 560pF @20VVds

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 ECH-8

外形尺寸

封装 ECH-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： ECH8619-TL-E

描述：ECH N+P 60V 3A/2A