ELJ-NA2R2JF参数规格_中文资料_数据手册PDF

ELJ-NA2R2JF概述

Inductor High Frequency Chip Wirewound 2.2uH 5% 1MHz 13Q-Factor Ferrite 110mA 3.2Ω DCR 1210 T/R

2.2 µH 无屏蔽绕线器 110 mA 3.2 欧姆最大 1210（3225 公制）

得捷:
FIXED IND 2.2UH 110MA 3.2OHM SMD

艾睿:
Inductor High Frequency Chip Wirewound 2.2uH 5% 1MHz 13Q-Factor Ferrite 110mA 3.2Ohm DCR 1210 T/R

Chip1Stop:
Inductor High Frequency Chip Wirewound 2.2uH 5% 1MHz 13Q-Factor Ferrite 110mA 3.2Ohm DCR 1210 T/R

ELJ-NA2R2JF中文资料参数规格

技术参数

额定电流 110 mA

容差 ±5 %

电感 2.2 µH

自谐频率 80 MHz

Q值 13.0

屏蔽 No

电感公差 ±5 %

测试频率 1 MHz

电阻DC） ≤3.2 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装公制 3225

封装 1210

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 2.5 mm

高度 2.2 mm

封装公制 3225

封装 1210

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买ELJ-NA2R2JF

型号： ELJ-NA2R2JF

制造商： Panasonic 松下

描述：Inductor High Frequency Chip Wirewound 2.2uH 5% 1MHz 13Q-Factor Ferrite 110mA 3.2Ω DCR 1210 T/R

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替代型号ELJ-NA2R2JF

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