NPN/NPN 12V 0.5A双偏置电阻晶体管
Bipolar BJT Transistor Array 2 NPN Dual 12V 500mA 320MHz 150mW Surface Mount EMT6
得捷:
TRANS 2NPN 12V 0.5A 6EMT
欧时:
NPN+NPN Low VCEsat Transistor
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT DUAL NPN 12V 500MA
艾睿:
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 6-Pin EMT T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 6-Pin EMT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 6-Pin EMT T/R
力源芯城:
NPN/NPN 12V 0.5A双偏置电阻晶体管
Win Source:
TRANS 2NPN 12V 0.5A 6EMT
DeviceMart:
TRANS COMPLEX DUAL NPN 12V EMT6
额定电压DC 12.0 V
额定电流 500 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 270 @10mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 270 @10mA, 2V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 SOT-563
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
EMX18T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
UMX18NTN 罗姆半导体 | 类似代替 | EMX18T2R和UMX18NTN的区别 |
VT6T12T2R 罗姆半导体 | 功能相似 | EMX18T2R和VT6T12T2R的区别 |