EMX52T2R概述
EMT NPN 50V 0.1A
Bipolar BJT Transistor Array 2 NPN Dual 50V 100mA 350MHz 150mW Surface Mount
得捷:
TRANS 2NPN 50V 0.1A EMT6
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT
艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 6-Pin EMT T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 6-Pin SOT-563 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 6-Pin EMT T/R
EMX52T2R中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 150 mW
增益频宽积 350 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 560 @1mA, 6V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563-6
外形尺寸
封装 SOT-563-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EMX52T2R引脚图与封装图 
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