EMT NPN+PNP 20V 0.2A
Bipolar BJT Transistor Array NPN, PNP 20V 200mA 400MHz, 350MHz 150mW Surface Mount EMT6
得捷: TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6
艾睿: Trans GP BJT NPN/PNP 20V 0.2A 6-Pin EMT T/R
额定功率 0.15 W
极性 NPN+PNP
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册