E-ULQ2003A参数规格_中文资料_数据手册PDF

E-ULQ2003A概述

PDIP NPN 50V 0.5A

Bipolar BJT Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA

得捷:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

贸泽:
Darlington Transistors Seven NPN Array

Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin PDIP

E-ULQ2003A中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 950 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 1000 @350mA, 2V

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 16

封装 PDIP-16

外形尺寸

长度 20 mm

宽度 7.1 mm

高度 4.59 mm

封装 PDIP-16

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买E-ULQ2003A

型号： E-ULQ2003A

描述：PDIP NPN 50V 0.5A

替代型号E-ULQ2003A

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
E-ULQ2003A ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
ULQ2003A 意法半导体	类似代替	E-ULQ2003A和ULQ2003A的区别
ULN2004APG,C,N 东芝	类似代替	E-ULQ2003A和ULN2004APG,C,N的区别
TD62003APG,N 东芝	功能相似	E-ULQ2003A和TD62003APG,N的区别