双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 30MA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 30MA
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 100mA 6-Pin EMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 100mA 6-Pin EMT T/R
儒卓力:
**PNP/PNP DIGITAL 47K/47K EMT6 **
Win Source:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
DeviceMart:
TRANS DUAL PNP 50V 30MA EMT6
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -30.0 mA
额定功率 0.15 W
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 EMT-6
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 EMT-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
EMB2T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DDA144EH-7 美台 | 类似代替 | EMB2T2R和DDA144EH-7的区别 |
EMB6T2R 罗姆半导体 | 类似代替 | EMB2T2R和EMB6T2R的区别 |