EMX3T2R参数规格_中文资料_数据手册PDF

EMX3T2R概述

通用（双晶体管） General purpose dual transistors

Bipolar BJT Transistor Array 2 NPN Dual 50V 150mA 180MHz 150mW Surface Mount

得捷:
TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT DUAL NPN 50V 150MA

艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 6-Pin EMT T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 6-Pin EMT T/R

Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 6-Pin EMT T/R

Win Source:
TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT

EMX3T2R中文资料参数规格

技术参数

频率 180 MHz

额定电压DC 50.0 V

额定电流 150 mA

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 560

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.5 mm

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： EMX3T2R

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：通用（双晶体管） General purpose dual transistors

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替代型号EMX3T2R

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