EMH6 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双 NPN/PNP 数字晶体管 - EMT-6
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
立创商城:
2个NPN-预偏置 100mA 50V
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 30MA
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin EMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 100mA 6-Pin EMT T/R
Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
额定电压DC 50.0 V
额定电流 30.0 mA
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 EMT-6
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 EMT-6
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
EMH6T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DDC144EH-7 美台 | 功能相似 | EMH6T2R和DDC144EH-7的区别 |