EMG6T2R参数规格_中文资料_数据手册PDF

EMG6T2R概述

EMT NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin EMT T/R

安富利:
· Ultra-compact complex digital transistor · Input resistor type · Small Surface Mount Package · Pb Free/RoHS Compliant

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 5-Pin EMT T/R

Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

EMG6T2R中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.15 W

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 EMT-5

外形尺寸

封装 EMT-5

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

EMG6T2R引脚图与封装图

在线购买EMG6T2R

型号： EMG6T2R

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：EMT NPN 50V 100mA

替代型号EMG6T2R

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
EMG6T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
UMG4NTR 罗姆半导体	完全替代	EMG6T2R和UMG4NTR的区别
EMG3T2R 罗姆半导体	完全替代	EMG6T2R和EMG3T2R的区别
UMG6NTR 罗姆半导体	完全替代	EMG6T2R和UMG6NTR的区别