EMZ8T2R参数规格_中文资料_数据手册PDF

EMZ8T2R概述

EMT NPN+PNP 50V/12V 0.15A/0.5A

Bipolar BJT Transistor Array NPN, PNP 50V, 12V 150mA, 500mA 180MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6

得捷:
TRANS NPN/PNP 50V/12V 6EMT

艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V/12V 0.15A/0.5A 6-Pin EMT T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V/12V 0.15A/0.5A 6-Pin EMT T/R

Verical:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V/12V 0.15A/0.5A 6-Pin EMT T/R

EMZ8T2R中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.15 W

极性 NPN+PNP

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50V, 12V

集电极最大允许电流 0.15A/0.5A

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买EMZ8T2R

型号： EMZ8T2R

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：EMT NPN+PNP 50V/12V 0.15A/0.5A

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