E-ULQ2003D1参数规格_中文资料_数据手册PDF

E-ULQ2003D1概述

SO NPN 50V 0.5A

- 双极 BJT - 阵列 7 NPN 达林顿 50V 500mA - - 表面贴装型 16-SO

得捷:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

Verical:
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SOIC

E-ULQ2003D1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 950 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 1000 @350mA, 2V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买E-ULQ2003D1

型号： E-ULQ2003D1

描述：SO NPN 50V 0.5A

替代型号E-ULQ2003D1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
E-ULQ2003D1 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
ULN2003ADR 德州仪器	完全替代	E-ULQ2003D1和ULN2003ADR的区别
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